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三星成背锅侠,芯片危机再现,实力受到质疑

来源:常山信息港 发表时间:2021-01-08 21:37
骁龙888一出来就打着安卓最强芯片的口号,在跑分和晶体管上,确实是要超过麒麟9000好多,但是实际上对比的时候,骁龙888依旧是功耗最大的一款芯片,升温也是最快的。

这一点就能很好理解为什么小米11要设置一个4800毫安的大电池,并且把自己的无线充电技术,以及快充技术搞到世界第一,小米手机能当冬天的暖宝宝,不是没有道理的。

异常升温和功耗过快的问题,追溯下来,最后还是归结到芯片上,iPhone12这边,在网络切换的时候,夜壶出现功耗加快的问题,有的用户手机时间稍微长一点就会发热,这并不是iPhone手机应有的表现。

尽管如此也要比骁龙888好上许多,为骁龙888代工的三星成了这次翻车事件新的主体,三星真的有实力代工5nm芯片吗?网友质疑。

三星的5nm芯片工艺制程究竟表现如何:自家都在用

关于三星5nm工艺制程的质量问题,既然三星用的都是自家的芯片,骁龙888的制造技艺也不该受到怀疑,但是三星3nm与3nmplus的工艺制程却不得不让让人觉得是谎言。

在台积电宣布3nm工艺制程的时候,三星紧急表示会跟上台积电的步子,我们也有3nm芯片,尽管如此,台积电3nm订单接满的时候,三星依旧没有得到一个订单。

三星与台积电的差距是多大没有人清楚,但是落后了台积电一年左右的5nm工艺,竟然马上就跟上了台积电3nm的工艺制程,要知道,制造工艺可是一步步脚踏实地完成的。

另一方面,不管台积电和三星的工艺制程有多么先进,他们经手的5nm芯片全部翻车,依旧有不可推卸的责任,台积电和三星担心的是,这场芯片危机怎么度过,到了3nm的时候该这么办。

芯片危机如何度过,需要多方面的努力

5nm芯片集体翻车,全都败在了功耗和异常升温上面,功耗上升、温度提高,这种类似的事情,24nm芯片向20nm过渡的时候出现过,12nm,14nm向7nm过渡的时候也出现过。

这一次7nm向5nm过渡显然还是失败了,究竟该怎么办,芯片危机本身的问题是芯片材料极限的问题,以及芯片内部的排列和运行问题,这三个问题都需要解决。

既然芯片材料出了问题,我们就改用碳基芯片;既然是芯片内部晶体管的排列出了问题,那么芯片制造手艺也要改变,生产芯片专用的光刻机也要进行升级改造,这样才能全面解决这个问题。

对于台积电和三星来说,他们可以用ASML最新的NA EUV 光刻机,依靠自己手的3nm工艺制程去生产5nm芯片,隔代生产,或许才是最好的选择。

芯片危机的出现,意味着摩尔定律的失效

关于芯片内部运行的问题,就只有采用光子芯片来解决了,但是采用光子芯片意味着指导了半导体产业七八十年的摩尔定律将宣布失效,报道体进入一个全新的发展阶段。

光子芯片之前有提过,就是将芯片内的电流并成光,功耗和升温的问题都会大大改变,并且运行速度提升1000倍以上,华为最近古仔研究的而手机芯片,就是这个。
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