近日，三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS3.1闪存，相较上一代eUFS3.0（512GB）闪存产品，新款的写速提升了200%，达到了惊人的1200MB/s。
三星量产eUFS3.1闪存：速度达1.2GB/s
比用于PC的传统SATA3SSD（540MB/s）和UHS-ImicroSD存储卡（90MB/s），可谓巨大的升级，可消除8K、5G时代下的存储瓶颈。
其它性能参数还包括，连续读取速度可达2100MB/s，随机读取速度就100KIOPS，随机写入速度70KIOPS。此前，铠侠（原东芝存储）也介绍了UFS3.1闪存产品，但都是出样，没有达到量产程度。
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